หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
BSB053N03LP G
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
BSB053N03LP G-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
รายละเอียด:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
สินค้าคงคลัง:
12841842
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
fuwB
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
BSB053N03LP G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.2V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2700 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
MG-WDSON-2, CanPAK M™
แพคเกจ / เคส
3-WDSON
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
BSB053N03LP G-DG
BSB053N03LPG
SP000597830
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
3 (168 Hours)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
NVMFS5C450NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
RFP8P05
MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3
SFF9250L
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3PF
